Grundlegender Grund, warum RAM schneller ist als das zweite Speichergerät

Betrachten wir dynamisches RAM - 1 Zelle = Kondensator + Transistor und zweites Speichergerät - zum Beispiel gewöhnlicher mmc-NAND-Flash. DRAM, sogenannte flüchtige Speicher, müssen aufgefrischt werden, um die Kondensatoren aufgeladen zu halten. Aus diesem Grund könnte DRAM ohne Stromversorgung nicht funktionieren. Ich weiß nicht, wie NAND-Flash genau funktioniert, aber es scheint, dass es Floating-Gate-Transistoren und etwas Quantentunnelmagie verwendet, um eine Ladung zu halten, selbst wenn die Stromversorgung deaktiviert ist. Die Frage ist also, was der grundlegendste Grund ist, warum NAND (NOR) Flash nicht so schnell sein kann wie DRAM? Danke.

Das Löschen und Schreiben jeder Art von Flash dauert viel länger als das Umdrehen eines Flip-Flops. Die Magie des Quantentunnelns braucht Zeit.
Warum? und wie funktioniert dieser Zauber ungefähr?
Eine bestimmte Ladungsmenge muss durch einen nahen Isolator geschoben werden.
Flash-Speicher bewegt viel mehr Elektronen als DRAM. Oder anders gesagt: Das Schreiben von Flash in DRAM-Geschwindigkeit würde den Flash überhitzen.

Antworten (1)

Aufgrund der unterschiedlichen Topologie und der Tatsache, dass Sie Tunneling verwenden, muss NAND vor dem Schreiben in Blöcken gelöscht werden. Dies bedeutet, dass das Schreiben zu einem zweistufigen Prozess wird. Die Topologie erhöht die Bitdichte, macht es aber schwieriger, wahlfreie Zugriffe durchzuführen.

DRAM hat diese Einschränkung nicht, da es sich nur um einen Kondensator handelt, an dem im Grunde ein Draht angeschlossen ist. Sie laden und entladen nur den Kondensator. Es gibt kein Konzept zum Löschen vor dem Schreiben. Die DRAM-Topologie ermöglicht auch praktisch wahlfreie Zugriffe, sodass beim Schreiben keine Nachteile entstehen, da Sie nicht ganze Blöcke löschen müssen.

Es hilft auch nicht, Quantentunneling für NAND zu verwenden.

Nand FlashNand Flash

DRAMGeben Sie hier die Bildbeschreibung ein

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