Polaritäten von Hochstrom-Bypass und Kurzschlussschutz, Transistoren auf LM7912 - NPN oder PNP?

Unter Bezugnahme auf Olins Antwort auf Connecting Voltage Regulators 7812 in Parallel for High Current und ebenso auf die Beispiele aus den Datenblättern von Fairchild , TI und ST wird ein PNP- Transistor verwendet (dh TIP42 , BD536 , 2N6133 , BD536 ), um den höheren Strom bereitzustellen Strom, bei Verwendung eines LM7812 .

Betrachten wir das Fairchild-Beispiel:

Ich würde annehmen, dass (bei einer Dual-Rail-Versorgung) für die negative Schiene unter Verwendung eines LM7912 ein komplementäres NPN- Transistoräquivalent erforderlich wäre (dh TIP41 , BD535 , 2N6130 ) anstelle des PNP für den 7812. Ist das richtig?

Ebenso wird für das Kurzschlussschutzschema mit dem LM7812 ein zusätzlicher PNP- Transistor verwendet (dh 2N6124 (für die TI- und ST-Datenblattbeispiele) und TIP42 (für das Fairchild-Beispiel)). Nehmen wir noch einmal das Fairchild-Beispiel:

Wird also für den LM7912 ein NPN- Transistoräquivalent für den Kurzschlussschutztransistor verwendet (dh 2N6121 und TIP41 )?

Außerdem gehe ich davon aus, dass die Ausrichtung der Transistoren gleich ist - das heißt, die Kollektoren und die Emitter der NPN-Äquivalente bleiben gleich angeschlossen - und sie sind nicht vertauscht ? Genau genommen gehen die Kollektoren der beiden NPN-Transistoren auf den Ein- bzw. Ausgang des LM7812?

Ich frage nur, da weder die NS- noch die TI LM7912-Datenblätter ein Hochstromschema (mit oder ohne Kurzschlussschutz) zeigen, daher mein Zweifel.

Bitte beachten Sie, dass ich nicht nach einer Komponentenempfehlung suche, sondern bestätigen möchte, dass ich die BJT-Polaritätskonfigurationen (PNP gegenüber NPN) korrekt habe. Ich habe lediglich die Komponentenkennungen zur Vervollständigung eingefügt.