So wählen Sie den Transistor und die daran angeschlossenen Widerstände aus [Duplikat]

Ich verwende den Regler TL497 im Fall von I (pk)> 500 mA, also brauche ich dafür einen externen Transistor, aber im Datenblatt wird nicht erwähnt, wie man den Transistor und seine Widerstände auswählt. Hat jemand eine Idee dazu? Datenblatt: http://www.mouser.com/ds/2/405/tl497a-405896.pdf Geben Sie hier die Bildbeschreibung ein

Die Komponentenauswahl hängt davon ab, mit welchem ​​Spitzenstrom Sie umgehen müssen.
Für die Widerstände haben Sie die Formeln in der Datenblattdatei.
@PeterSmith Der Aufnahmestrom beträgt fast 1A, also denke ich, dass ich einen Transistor mit Ic> 1A wählen muss, aber was ist mit den Widerständen?
@Michael: Auf welcher Seite? Ich spreche nicht von den Widerständen des Ausgangs, ich spreche von den Widerständen, die mit dem Transistor verbunden sind.
Arbeiten Sie und @berem an der gleichen Sache? Ihr solltet euch zusammensetzen und es klären. =-D electronic.stackexchange.com/questions/243560/…
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Antworten (1)

Zeichnen Sie zuerst den Schaltplan neu, damit wir sehen können, was los ist:

TL497 mit Außenschalter

Dies macht deutlich, dass der interne Schalter nicht im Stromkreis ist und zur Steuerung des externen Schalters (der PNP im Datenblatt) verwendet wird.

Das Designverfahren:

  1. Wählen Sie Ihren Strombegrenzungswiderstand - dieser steht im Datenblatt.

Der nächste Schritt ist etwas iterativ:

  1. Wählen Sie einen Transistor, der sowohl den Durchschnittsstrom als auch den Spitzenstrom verarbeiten kann . Versuchen Sie, ein Gerät zu finden, das einen großen Wert von hat H F e in Sättigung.

  2. Der Transistor wird zumindest abgebaut v C E ( S A T ) ICH l Ö A D D wobei D die Einschaltdauer des Reglers ist, wählen Sie also ein Gehäuse, das diese Leistung bewältigen kann (Sie könnten es für eine kleinere Gehäusegröße kühlkörpern).

  3. Wählen Sie den oberen Widerstand: Dieser muss so dimensioniert sein, dass er genügend Basisstrom liefert, ICH B bei v C E ( S A T ) ; diese finden Sie im Datenblatt. Zum Beispiel, wenn ICH l Ö A D ist 1A und H F e 10 in Sättigung ist, muss dieser Widerstand sein < 0,7 100 M A - es ist weniger als das, da dieser Widerstand auch den Kollektor des internen Schalters versorgt - normalerweise würde ich diesem Schalter vielleicht ein paar mA geben. Das ergibt ca 6.4 Ω . Stellen Sie sicher, dass Sie ein Gerät wählen, das mit der Leistung umgehen kann (diese Berechnung überlasse ich Ihnen).

  4. Wählen Sie den Vorspannungswiderstand des internen Schalters. Dieser muss so bemessen sein, dass der interne Schalter vollständig in die Sättigung geht und auch zusätzlichen Strom verarbeiten muss, der nicht über die Temperatur (und über die Chargen hinweg) in die Basis eingespeist wird. Dies ist gegeben durch Vin - 0,5 (Stromgrenzwert) - 0,7 V (der Emitter-Basis-Abfall am PNP) / angenommener Kollektorstrom - ich habe 10 mA verwendet, was nachgibt v ich N 1.2 ICH C . Da dies Vin-abhängig ist, überlasse ich diese Berechnung Ihnen.

  5. Die hinzugefügte externe Diode ist jetzt der Freilauf, daher würde ich einen Power-Schottky wählen, um die Verluste gering zu halten; Der Strom in diesem Gerät hängt vom Arbeitszyklus ab, und ohne Vin zu kennen, kann ich die Zahlen nicht angeben, aber ein Gerät mit einer Nennleistung von 3 A würde problemlos ausreichen.

Die thermischen Berechnungen basieren auf dem durchschnittlichen Strom. Normalerweise würde ich einen Transistor wählen, der den Spitzenstrom kontinuierlich aufnehmen kann; Spitzenimpulsstromwerte im Vergleich zum Dauerstrom können aufgrund der Testmethode in Datenblättern etwas irreführend sein.

Vielen Dank, meinten Sie mit Iload I(pk) oder Io max ?