Vorspannen eines NMOS, um VthVthV_{th} loszuwerden

Hier ist also eine übliche Methode zum Aufheben von v T H in einem NMOS. Soll ich besser einen Zener von guter Qualität (in Reihe mit einem Widerstand) verwenden oder beim Spannungsteiler R1 und R2 unten bleiben?

Angenommen, wir können sehr geringe Toleranzen für R1 und R2 haben und wir können den Wert eines Zeners kontinuierlich wählen (anstelle der bevorzugten Werte). Was ist noch besser?

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Antworten (1)

Wenn Sie anstelle von R2 eine Zenerdiode einsetzen, erhalten Sie sicherlich eine sehr stabile Spannung am Gate. Tatsächlich wäre es so stabil, dass das AC-Eingangssignal auf die Zener-Regelspannung geklemmt wird. Dies macht die Schaltung zu einem sehr schlechten Wechselstromverstärker.

Am Ausgang würde man aber ein Signal bekommen, das wäre das Rauschen der Zenerdiode ! Wenn Sie also einen Rauschgenerator bauen wollten, los geht's :-)
Guter Anruf LOL!!!!
Fairerweise habe ich Fälle in Betracht gezogen, in denen es sich um nicht gemeinsame Verstärker handelt (Widerstand und NMOS direkt auf Masse und Versorgung), und selbst in diesen Fällen ist es einfach keine generische Lösung.
Vorspannen eines NMOS, um VthVthV_{th} loszuwerden
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