Was ist der Unterschied zwischen 1N4001 und 1N4007 außer ihrer maximalen Sperrspannung?

Die Antworten von @Vasiliy und @johnfound sind falsch. 1N400x-Dioden sind nicht alle identisch, abgesehen von "zufälligen" Herstellungsabweichungen.

Dioden mit höheren Sperrspannungsnennwerten werden absichtlich mit einer geringeren Dotierung hergestellt, so dass der Verarmungsbereich für eine gegebene Sperrspannung breiter ist, als es sonst der Fall wäre. Der Nachteil bei einer geringeren Dotierung besteht darin, dass der Durchlasswiderstand und der Spannungsabfall bei einer Hochspannungsdiode höher sind als bei einer Niederspannungsdiode.

Sie können also einen 1N4007 für alle Ihre Anwendungen verwenden, aber Ihre Schaltungseffizienz wird etwas höher sein, wenn Sie eine Diode mit besserer Nennleistung in Niederspannungsanwendungen verwenden.

Es scheint zwei grundlegend unterschiedliche Arten von Dioden zu geben, die als 1N4001..1N4007 verkauft werden. Der erste Typ ist eine herkömmliche Diode und wird als 1N4001..1N4005 verkauft. Es gibt keinen Nachteil (außer möglicherweise dem Preis), 1N4005-Dioden für alles zu verwenden. Meiner Erfahrung nach ist der Preisunterschied in großen Mengen sehr nominell oder nicht vorhanden – zum Beispiel bei 100.000 Preisen, die Digikey zum Zeitpunkt dieses Schreibens beide bei 11,20 $/k notiert.

Der zweite Typ ist eine PIN-Konstruktion und wird für 1N4006 und 1N4007 verwendet.

1N4006-1N4007 haben eine schlechtere Vorwärts- und Rückwärtswiederherstellungszeit. Sie haben auch eine niedrigere Sperrschichtkapazität bei allen Sperrvorspannungen (z. B. 10 pF gegenüber 15 pF bei -10 V). Tatsächliche Kurven, die den Unterschied veranschaulichen, finden Sie in den Datenbüchern der Motorola Semiconductor Library. Zum Beispiel:

Bei einer 50/60-Hz-Gleichrichtung gibt es kaum einen wesentlichen Unterschied, und es gibt keinen Unterschied in der Durchlassspannung bei einem bestimmten Strom.

In der heutigen Zeit würden wir wahrscheinlich einen anderen Diodentyp bei höheren Frequenzen verwenden (über ein paar kHz Rechteckwelle oder vielleicht 5 kHz Sinuswelle), sodass die Unterschiede nicht mehr so ​​​​wichtig sind, aber einige Leute haben die PIN-Typen in den HF-Dienst geschoben.

Aufgrund von Prozessvariationen können hergestellte Halbleiterbauelemente unterschiedliche Eigenschaften aufweisen. Viele Hersteller wenden eine „ Binning “-Strategie für hergestellte Teile an: Sie testen die Teile und teilen sie basierend auf der Leistung der Geräte auf mehrere „Bins“ auf. Sobald sie dies getan haben, können sie die leistungsstärkeren Geräte für mehr Geld verkaufen.

Ich bin mir absolut sicher, dass die Binning-Strategie für 1N400x angewendet wird, aber ich kann nicht sagen, wie viele Pools ursprünglich produziert wurden. Meine Vermutung sind 2 Pools, aus denen 7 Bins abgeleitet wurden. Diese Vermutung basiert auf der Tatsache, dass die Daten für die typische Sperrschichtkapazität im Datenblatt zwei Bereiche haben. Auch wenn ich bei diesem Hersteller Recht habe, kann die Anzahl der Pools herstellerspezifisch sein.

Der Unterschied zwischen diesen Dioden besteht hauptsächlich in ihrer Sperrspannung. Es gibt viele weitere Parameter, die sich unterscheiden; Ein Teil der Unterschiede wird im Datenblatt erwähnt (wie die oben erwähnte Sperrschichtkapazität), andere nicht. Im Allgemeinen spiegelt das x20-Verhältnis der Sperrdurchbruchspannungen (zwischen 1N4001 und 1N4007) große Unterschiede in den Eigenschaften der Übergänge wider. Diese Eigenschaften müssen fast jeden elektrischen Parameter der Diode beeinflussen.

Hersteller neigen dazu, diese Dioden mit exakt gleichen Eigenschaften darzustellen, da die sehr feinen Unterschiede für die Haupteinsatzgebiete dieser Dioden nicht von Bedeutung sind. Es gibt jedoch Anwendungen , die mehr Präzision erfordern.

Die Leute sagen, dass es auch Anwendungen gibt, die den Rückwärtsdurchbruch von Dioden ausnutzen. Bei diesen Anwendungen möchten Sie möglicherweise eine geeignete Durchbruchspannung auswählen können. Ich kenne die Einzelheiten aber nicht.

Meine Vermutung ist, dass vor Jahren, als diese Dioden gerade eingeführt wurden und die Halbleiterprozesse noch nicht ausgereift waren, die Unterschiede zwischen verschiedenen Dioden ausgeprägter waren.

Zusammenfassung:

Wenn der Preis derselbe ist und Sie diese Dioden in "Standard" -Anwendungen (wie Niederfrequenzgleichrichtung) verwenden, können Sie jede davon verwenden, solange sie Ihre Anforderungen an die Durchbruchspannung in Sperrrichtung erfüllt. Wenn Sie vorhaben, sie für etwas Sensibleres zu verwenden, sollten Sie sie alle testen, um zu sehen, welche Suite besser geeignet ist.

Ich mag die Antwort von Spehro Pefhany, aber in den heutigen Datenblättern erwähnen viele keine Unterschiede mehr ... http://www.comchiptech.com/cms/UserFiles/QW-BG013%201N4001%20Thru456224.%201N4007%20REV .A.pdf

http://www.mccsemi.com/up_pdf/1N4001-1N4007(DO-41).pdf

http://www.vishay.com/docs/88504/1n4001gp.pdf

http://www.onsemi.com/pub/Collateral/1N4001-D.PDF

Die Originalversion von Diodes Inc. hat diesen Unterschied, bei dem die Sperrschichtkapazität für die Versionen mit niedrigerer Spannung schlechter ist ...

Aber sie sind alle 8pF in den neuen 1N400xG-Versionen ...

Es scheint keinen wahrnehmbaren Unterschied mehr zu geben, abgesehen davon, dass viele Stücklisten unterschiedliche Versionen enthalten, sodass jeder MFR weiterhin jede Version anbietet.

Das sind alles die gleichen Diode. Die Halbleitertechnologie ist nicht so präzise, ​​daher sind die in einem technologischen Zyklus hergestellten Dioden unterschiedlich. Nach dem Sortieren werden sie entsprechend markiert. Dies ist nicht nur bei Dioden gängige Praxis.

Außerdem gibt es manchmal (nicht sehr oft) Schaltpläne, in denen die Diode im Lawinendurchbruchmodus arbeitet, sodass die Durchbruchspannung vorhersehbar sein muss.