„Durchschießen“ ist ein ziemlich beschreibender Begriff für das, was in einer Bridge passiert, wenn ein Gerätesatz eingeschaltet wird, bevor der andere Gerätesatz ausgeschaltet ist. Durch die Brücke fließt eine große Stromspitze. Im besten Fall verringert es die Effizienz und erzeugt EMI, im schlimmsten Fall überhitzt oder zerstört es die FETs.
Das einfachste Schema, um dies zu vermeiden, besteht darin, einen Widerstand in Reihe mit dem Gate zu verwenden, um das Einschalten des FET zu verlangsamen (R1, R5, R8, R9 usw.), ihn dann aber mit einer Diode zu umgehen, um das Ausschalten zu beschleunigen (D3 , D5 usw.).
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