Ich muss digitale Schaltungen mit benutzerdefinierten Gates simulieren.
Im Moment mache ich mir keine Sorgen um die spezifische CMOS-Technologie, die Transistorlänge und -breite usw. Ich muss nur NMOS- und PMOS-Transistoren zusammenkleben und einige primitive digitale Komponenten wie Inverter, UND- und ODER-Gatter usw. bauen und Schaltungen simulieren mit diesen grundlegenden Komponenten gebaut. Der Grund, warum ich die in Simulatorsoftware wie LTSpice und MultiSim bereitgestellte Standardbibliothek nicht verwenden kann, ist, dass ich einige spezielle Latches und Gates (wie Muller Gate) benötige, die in der Standard-CMOS-4000-Serie nicht verfügbar sind, sodass ich alles von Grund auf neu erstellen muss auf Transistorebene.
Kann ich einfach zufällig eine Technologie auswählen wie: 0,35u CMOS-Komponenten
Spielt die Technik wirklich eine Rolle?
Wenn nicht, welche CMOS-Bibliotheksmodelle schlagen Sie dann für die allgemeine Simulation von digitalen Schaltungen vor, die mit MOSFETs aufgebaut sind? Ist der Link zu colorado.edu 0.35u CMOS-Modellen, die ich oben erwähnt habe, gut genug?
Die Technologie wird die folgenden Dinge bestimmen
Eine 0,35um Technik sollte OK sein und man kann mit 3,3V arbeiten. Ob es gut genug ist, hängt von Ihren Anforderungen ab. Um die erreichbare Geschwindigkeit zu bestimmen, können Sie ein paar einfache Gate-Strukturen verdrahten und eine Simulation durchführen.
Ein großer Vorteil von 0,35-um-CMOS besteht darin, dass diese Technologie sehr billig und das Prototyping recht erschwinglich ist.
Wenn Sie wissen möchten, wie hoch die Gate-Verzögerungen sein werden, wie viel Treiberstrom sie für nachgeschaltete Stufen liefern können, wie Ihre Schaltungseinstellungen und Haltezeiten aussehen oder irgendetwas Quantitatives über Ihr Design, dann sollten Sie das wissen Verwenden Sie Modelle, die den Prozess darstellen, mit dem Sie Ihre Schaltung implementieren.
Wenn Sie nur herausfinden möchten, in welcher Topologie die FETs angeschlossen werden müssen, um ein bestimmtes Gate zu konstruieren, sind generische Modelle wahrscheinlich ausreichend. Sie müssen die W- und L-Parameter noch anpassen, wenn Sie beispielsweise einen Wechselrichter mit einer Schaltschwelle von Vdd/2 herstellen möchten. Dann müssen Sie neue W- und L-Parameter neu optimieren, wenn Sie Ihre prozessspezifischen Modelle erhalten, um sie für den realen Prozess zu entwerfen, den Sie verwenden werden.