Wenn die Verarmungsschicht eines Kollektor/Basis-Übergangs eines Transistors dick ist, warum werden dann immer noch Majoritätsträger gesammelt?

In "Principles of transistor circuits, 8th edition" (oben auf Seite 26) heißt es, dass Löcher, sobald sie in den Basisbereich durch einen in Vorwärtsrichtung vorgespannten Basis-Emitter-Übergang (den ich verstehe) eines PNP-Transistors injiziert wurden, in Richtung des Transistors diffundieren Sammler und werden dann überschwemmt.

Ich dachte jedoch, der Kollektor-Basis-Übergang sei in Sperrrichtung vorgespannt, was bedeutet, dass das durch die externe Vorspannung erzeugte elektrische Feld zur Potentialbarriere beiträgt? Wie kommt es, dass Löcher spontan diese riesige Potentialbarriere überschreiten?

Bearbeiten Sie nach den Antworten : Nach dem Zeichnen eines Diagramms ist es viel klarer. Die Potentialbarriere erzeugt ein Feld, das durch die Sperrvorspannung verstärkt wird, aber dieses Feld geht gegen Löcher, die zur Basis gehen - es beschleunigt tatsächlich Löcher von der Basis zum Kollektor.Geben Sie hier die Bildbeschreibung ein

Ich habe Antworten auf SE gesehen, die besagen: "Die Basis ist dünn, sodass Träger auf der Verarmungsschicht landen und daher darüber hinweggefegt werden", was ich nicht intuitiv finde.
Der CB-Übergang ist in Sperrrichtung vorgespannt. Collector hat also ein niedrigeres Potential als Base. Löcher werden von negativer Polarität angezogen, sie bewegen sich von höherem zu niedrigerem Potential. Wo ist also die Barriere? Ich denke, Sie haben die Tatsache übersehen, dass Löcher in der Basis für PNP in der Minderheit sind.
Ich verstehe, dass sie es tun würden, wenn sie nicht durch die potenzielle Barriere (die durch die CB-Sperrvorspannung verstärkt wird) gestoppt würden, die ich als Wand betrachte. Ich weiß, dass ich falsch liege, ich weiß nur nicht wo.
Es gibt eine Barriere an der CB-Kreuzung, aber sie ist für Mehrheitsträger. Löcher sind Minoritätsträger in der Basis (bcoz-Basis ist negativ). Denk darüber nach. Löcher bewegen sich immer von höherem zu niedrigerem Potential. Die Basis liegt wegen der Sperrspannung auf höherem Potential als der Kollektor. Das elektrische Feld wird also von der Basis zum Kollektor geleitet. Die Barriere ist für Löcher im Kollektor, die versuchen, sich in Richtung Basis zu bewegen, nicht für Löcher in der Basis, die versuchen, sich in Richtung Kollektor zu bewegen.
Auch nach der Antwort von Alfred Centauri war es immer noch unklar, also habe ich ein Diagramm gezeichnet (siehe Abbildung) und dann traf es mich. Blöder Fehler, in meinem Kopf mussten die betroffenen Minoritätsträger die Majoritätsträger betreffen, aber sie sind von unterschiedlicher Polarität. Danke.

Antworten (1)

Ich dachte, der Kollektor-Basis-Übergang sei in Sperrrichtung vorgespannt, was bedeutet, dass das durch die externe Vorspannung erzeugte elektrische Feld die Potenzialbarriere erhöht? Wie kommt es, dass Löcher spontan diese riesige Potentialbarriere überschreiten?

Das eingebaute Potential stoppt den Diffusionsstrom aufgrund von Majoritätsträgern , die von einer Seite zur anderen diffundieren . Zum Beispiel würden Elektronen im N-Material zum P-Material diffundieren (wo sie rekombinieren würden), wenn es nicht das eingebaute Potential gäbe. Für die Mehrheitsträger ist das eingebaute Potential eine Barriere.

Aber im N-Material der Basis sind Löcher Minoritätsträger und daher ist das eingebaute Potential überhaupt keine Barriere. Wenn ein Loch in der Basis lang genug vorhanden ist, kann es durch das dortige elektrische Feld über den in Sperrichtung vorgespannten Basis-Kollektor-Übergang und in den Kollektorbereich gefegt werden.

Wenn der Basis-Emitter-Übergang eingeschaltet ist, werden viele Löcher in den dünnen und leicht dotierten Basisbereich injiziert, sodass ein großer Teil der injizierten Löcher lange genug vorhanden ist, um das Potenzial herunterzurutschen und in den Kollektorbereich zu gelangen, wo sie sich befinden Mehrheit Träger.

Danke, dumm genug in meinem Kopf, was betroffene Minoritätsträger auf Mehrheitsträger auswirken mussten, aber nachdem ich das Diagramm in meinem bearbeiteten Beitrag gezeichnet hatte, fiel mir auf, dass dies aufgrund ihrer unterschiedlichen Polaritäten offensichtlich nicht der Fall war.
Wenn die Verarmungsschicht eines Kollektor/Basis-Übergangs eines Transistors dick ist, warum werden dann immer noch Majoritätsträger gesammelt?
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