Wie lange dauert es, einen MOSFET mit Hitze zu töten?

Beispiel; http://www.aosmd.com/res/data_sheets/AOK42S60.pdf

Mit diesem; http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/pvin.pdf

Wie mir in einer anderen Frage beigebracht wurde, ergibt die 40-nC-Gate-Ladung, die mit 10 uA bei 10 V getroffen wird, eine Schaltzeit von 40/10 = 4 ms.

Ich werde 3-4 A ~ von 300 VAC bei 150 kHz in den Abfluss / die Quelle stecken.

Wenn ich diesen FET manuell einschalte, dh 100% Einschaltdauer, stirbt er dann sofort ab, weil er sich für 4 uS im linearen Bereich befindet?

Oder müssen Sie das Gate sehr schnell ein- und ausschalten, damit es Ihre FETs tötet?

Demzufolge;

P = ( ICH 2 R )

Es sollte sich auflösen;

P = ( 4 2 ∗ 0,099 ) = 1.584

Bekomme ich das I(ds)-Diagramm pro Einheit von V(gs) und integriere darüber, wobei ich mich ändere? ( ICH ) 2 jedes Mal für jede Änderung in V (gs) über einen Zeitraum von 4 uS in der Grafik? So wie die Verlustleistung bei 0 v + . . . + 10 v = T Ö T A l P Ö w e R D ich S S ich P A T ich Ö N

Ich bin wirklich verwirrt darüber, warum dieser MOSFET sofort verbrennen würde, wie ein Typ in der anderen Frage sagte.

Ich mag diesen Artikel über Leistungs-MOSFETs: mcmanis.com/chuck/robotics/projects/esc2/FET-power.html

Antworten (1)

Nun, ~ 1,6 Watt mit einem Wärmewiderstand (Übergang zur Umgebung) von beispielsweise 40 Grad Celsius pro Watt machen es von 25 Grad Umgebungstemperatur auf ~ 90 Grad, was es nicht wirklich tötet, aber das setzt voraus, dass Ihre Berechnungen perfekt sind. Die Wärme, die Sie hier sehen, wird tatsächlich IMMER abgeführt, während Sie in Ihrem 4A-Lastzustand arbeiten.

Die absoluten Höchstwerte betragen 150 Grad. Wenn es also während der 4-Mikrosekunden-Schaltperiode gelingt, viel Wärme zu erzeugen, die ausreicht, um die Verbindung auf 150+ zu bringen, kann es zu einem Ausfall kommen. Scheint ein bisschen fair zu sein, besonders wenn Sie es nur ein paar Mal wechseln. Wenn Sie viele Male pro Sekunde umschalten, kann dies eine durchschnittliche Wärme aufbauen, die ausreicht, um ziemlich schnell ausfallen zu können.

Aber das wird doch nur beim „Ramp-up“ so sein, oder? Dann ist es in Sättigung. So oder so, wenn es einen Kühlkörper hat, ist das für etwa 50 Hz oder so in Ordnung. Außerdem kann ich einfach den Stromeingang abschalten, dann die Gates auf voll schalten und dann den Strom wieder einschalten. kein Hochfahren mehr. Habe ich Recht oder ist das eine schreckliche Idee? (von H-Brücke gespeist)
@ARMATAV siehe meine Bearbeitung/Änderungen. Auch das Ausschalten des Hochspannungseingangs und das Voröffnen des Schalters und das Einschalten des Eingangs - das funktioniert. Aber dann kann man nicht mehr wechseln, das verfehlt den Zweck.
Ah, erwischt. Sehen Sie, die Sache ist, ich werde es nur alle paar Minuten wechseln. Manuell. Ich werde buchstäblich einen Befehl eingeben und er sendet einen Impuls an ein Bit-Schieberegister, um einen Transistor zu öffnen und damit einen PVI1050N zu öffnen. Dann öffnet der PVI1050N die MOSFETs. Ich habe 50 Hz als "maximales" Beispiel verwendet. Ich glaube nicht, dass ich so schnell manuell Befehle senden kann. Vielleicht 3-4 Hz, wenn ich es aus irgendeinem Grund loope. Auch; Diese Berechnungen beinhalten keinen Kühlkörper, richtig? Weil ich das ganze Setup zum Teufel wärme. Also denke ich, dass ich dann gut sein könnte.
@ARMATAV mit einem Kühlkörper wird es in Ordnung sein - aber denken Sie nur - Kühlkörper helfen nicht, wenn es eine so wahnsinnige Strommenge gibt, dass sich die Verbindungsstelle erwärmt, bevor sie auf den Kühlkörper übertragen werden kann. Mit nur 4A kontinuierlich oder langsam geschaltet wie 3-4Hz ist es in Ordnung.
Erwischt. Eine letzte Sache, spielt es eine Rolle, ob die 4A, wie oben erwähnt, 150 kHz und 300 VAC durch Source / Drain sind? Gate ist immer noch 3-4Hz.
@ARMATAV Die Source / Drain-Schaltfrequenz ist kein Problem, aber ich weiß / habe keine Erfahrung damit, dass der MOSFET Wechselspannung schaltet. Dass es AC ist, kann ich nicht beurteilen.
Wie lange dauert es, einen MOSFET mit Hitze zu töten?
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