Active Miller Clamp und Entsättigungserkennung in Mosfet-Treibern?

Neuere Mosfet/IGBT-Gate-Treiber wie 2ED020I12FA und TD352 haben folgende Funktionen: Active Miller Clamp und Entsättigungserkennung. Die Beispielschaltungen sind jedoch nur mit IGBTs gezeigt.

Also meine Fragen sind:

1- Funktioniert die Active Miller Clamp-Funktion und hat sie eine Bedeutung beim Ansteuern eines Power Mosfet?

2- Funktioniert die Entsättigungserkennungsfunktion und hat sie eine Bedeutung, wenn ein Power Mosfet betrieben wird?

Antworten (1)

(1) Ich sehe keinen Unterschied zwischen einer aktiven Miller-Klemme und einem anständigen niedrigen Treiber, der Strom aufnehmen kann, wenn er niedrig fahren soll. Die Angabe, was es tut, deutet jedoch darauf hin, dass sie sorgfältig darüber nachgedacht haben, die Gate-Spannung unter diesen Umständen niedrig zu halten.

(2) Die Entsättigungsfunktion sollte für einen FET genauso nützlich sein wie für einen IGBT. Unter übermäßigem Strom schaltet es das Gerät aus. Die Tatsache, dass ein FET ohmsch ist, während ein IGBT wie ein BJT aussieht, bedeutet jedoch, dass Sie die Schwellenspannung sorgfältig auf die Unterscheidung zwischen normalen, leicht übermäßigen und stark übermäßigen Strömen überprüfen sollten.

Zu (2): Das war meine Hauptüberlegung, wenn Rds so niedrig ist, sagen wir (1 mOhm), dass es 1000 A dauern würde, um 1 V bei Vds zu erreichen, was beispielsweise bei 50 A nahe an 1 V Vce liegt. Ich weiß nicht, wie sie es lösen es oder tune es.
@ElectronS Soweit ich dem DS entnehmen kann, beträgt die Entsättigungsschwelle 9 V und ist nicht programmierbar. Wenn das Gerät klobig genug ist, ist Desat nie ein Problem. Sie könnten immer ein oder zwei weitere MOhm hinzufügen!
Active Miller Clamp und Entsättigungserkennung in Mosfet-Treibern?
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