Treiberauswahl zum Ansteuern mehrerer MOSFETs

Geben Sie hier die Bildbeschreibung einIch arbeite derzeit an einer der BLDC-Antriebsanwendungen. Aufgrund des höheren Strombedarfs ist geplant, mehrere MOSFETs parallel zu verwenden, um den Strom untereinander zu verteilen.

Hier wollte ich wissen, ob der Gate-Treiberstrom des von mir verwendeten Treibers ausreicht oder nicht. Könnte jemand Hinweise oder Verfahren geben, um sicherzustellen, dass der von Ihnen gewählte Treiber der richtige ist? (Sie können Beispielwerte wie Vdriver(max)=12V, Vdriver(min)=0V, I_driver(max)=2A, MOSFET-Gate-Ladung=150nC, Anzahl der MOSFETs parallel=3, Schaltfrequenz = 16kHz betrachten.

Ich hoffe, dass dies die grundlegenden Parameter für die Analyse sind. Nehmen Sie an, wenn Sie noch etwas brauchen.

16 kHz und alle Kunden unter 50 Jahren werden Ihr Produkt zurückgeben und eine Rückerstattung verlangen ... warum nicht 22 kHz? ...
@peufeu Ein industrieller Servoantrieb, Top Qualität, Top Preis läuft bei 16kHz sehr gut. Der Schrott, den es bei ebay zu kaufen gibt, kann auch mit 50kHz laufen. Die PWM-Frequenz ist kein Qualitätsmaßstab für diese Art von Produkten.
Tja, wenn die Leute in der Nähe wegen Maschinenlärm alle einen Gehörschutz tragen, wird das 16kHz Geräusch niemandem auffallen...

Antworten (2)

Im Allgemeinen ist es bei der Parallelschaltung von MOSFETs am besten, für jeden FET einen separaten Treiber zu verwenden. Jeder FET fügt mehr kapazitive Last hinzu, wodurch die Flanken bei dem festen Strom, den der Gate-Treiber liefern kann, verlangsamt werden. Da die Verlustleistung ein Problem darstellt und Sie sonst gar nicht erst mehrere FETs parallel verwenden würden, sind schnelle Gate-Übergänge wahrscheinlich wichtig.

Jeder FET hat auch eine etwas andere Gate-Schwellenspannung, sodass die kapazitive Kopplung vom Drain jeden etwas anders beeinflusst. Es ist besser, jeden FET sein eigenes Ding machen zu lassen und gegen seinen eigenen Serien-Gate-Widerstand zu arbeiten.

Wie wichtig ist hier der Treiberstromparameter? Wie berücksichtigen wir für die Analyse?
Ich kann keine unterschiedlichen Treiberpins für verschiedene Mosfets verwenden, da alle drei Mosfets gleichzeitig ohne signifikanten Zeitunterschied eingeschaltet werden sollten. Also muss ich sie von einem einzigen Gate-Drive-Pin aus ansteuern.
@Durg: Sie sehen sich die gesamte äquivalente Gate-Ladung an und berechnen, wie viel Strom benötigt wird, um diese Ladung in der Zeit umzuschalten, in der das Gate den gesamten Bereich drehen soll. Die Gate-Ladung steigt tendenziell mit höherer Spannungsfähigkeit und niedrigerem Rdson. Bei Leistungs-FETs kann dies erheblich sein.
@Durg: Sie verwenden verschiedene FET-Treiber, treiben sie aber alle mit demselben digitalen Signal an. Mit anderen Worten, Sie binden die Eingänge der FET-Treiber zusammen.
Klar. Aber ich fürchte, die hier auftretenden Ausbreitungsverzögerungen könnten erheblich sein und die FETs beschädigen.
@Durg: Das macht keinen Sinn, insbesondere angesichts Ihrer niedrigen Schaltfrequenz.

Sie sollten besser einen Gate-Widerstand für jeden MOSFET separat einbauen. Es hängt auch von der Art des verwendeten MOSFET ab, ob er die Fähigkeit zum Parallelbetrieb hat. Andere Dinge sind Ihnen überlassen, zum Beispiel ob die Anstiegs-/Abfall-Schaltzeit innerhalb Ihrer Spezifikationen liegt. Es könnte sein, dass Sie bei paralleler Verwendung eines kleinen Power-Gate-Treibers mit diesen MOSFETS ein schlechteres Ergebnis erzielen als bei Verwendung eines einzelnen MOSFET. Ein Schaltverlust wird durch die Abfall-/Anstiegs-Schaltzeit bestimmt, daher ist die Zeit größer, je größer der Verlust ist.

Ich suche nach einer objektiveren Lösung, um meine Anforderungen zu erfüllen. Und ich bin mir Ihres Punktes, der die Verwendbarkeit von FETs für den Parallelbetrieb erwähnt, nicht ganz sicher.
@Durgaprasad Dann sollten Sie Ihre Frage um die Spezifikation von MOSFETS und Gate-Treibern erweitern.
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