Freilaufdiode benötigt?

eine der 3 HalbbrückenFür einen BLDC-Treiber verwende ich dieses Mosfet: http://www.farnell.com/datasheets/526719.pdf?_ga=1.38505579.956125949.1445440291 auf Seite 6 gibt es einige Diodendaten. Reicht diese Diode für meine Anwendung?

Daten:

  • PWM-Frequenz 20 kHz

  • Versorgungsspannung 50V

  • Maximalstrom 100A

  • Jede Brücke hat 3 Mosfets parallel

  • Gate-Treiber ir2110

Wie wähle ich die richtige Freilaufdiode aus?

Im Allgemeinen ist die interne Diode ausreichend an die Geräteleistung angepasst, sodass keine weitere Diode erforderlich ist.
Danke! Woher weiß ich, dass keine weiteren Dioden benötigt wurden?
Nun, es hängt wirklich vom Fahrzyklus und dem Motor ab, sodass Sie sich nie sicher sein können, bis Sie es gebaut haben. Aus irgendeinem Grund geben die Datenblätter niemals gute Daten über die interne Diode. Ich könnte es so entwerfen, dass es einige zusätzliche Dioden enthält und bei Bedarf bevölkert. Eine Shotky-Diode, die den vollen Motorstrom + Toleranz verarbeiten kann, ist am besten.
Spannungsabfall und Strom bestimmen die Verlustleistung. Stellen Sie sicher, dass Ihr Gerät nicht überhitzt.

Antworten (1)

Die "Body-Diode" eines MOSFET ist der PN-Übergang zwischen dem Drain-Anschluss und dem Substrat. Es leitet Strom, wenn die Source positiver ist als der Drain (in einem N-Kanal-MOSFET), da auch eine direkte Verbindung zwischen dem Source-Anschluss und dem Substrat besteht.

Die Body-Diode ist eine gewöhnliche Siliziumdiode mit einem nominellen Durchlassspannungsabfall von etwa 0,7 V. Der Spannungsabfall steigt mit zunehmendem Strom relativ schnell an, da das Substrat in der Regel nicht stark dotiert ist und dadurch einen höheren Eigenwiderstand aufweist. Die Body-Diode ist wegen der mit ihrer Elektrodenstruktur verbundenen großen Kapazität auch relativ langsam.

Wenn Sie externe Schottky-Freilaufdioden parallel zu Ihren MOSFETs verwenden, wird die Gesamtverlustleistung während des Freilaufs ungefähr halbiert, was den Gesamtwirkungsgrad verbessert. Noch wichtiger ist, dass die Freilaufdissipation in einem anderen Gerät als den Schalt-MOSFETs selbst auftritt (die andere Dissipationsquellen haben, wie die Verluste während der Schaltübergänge und die I 2 R- Verluste während des Leitens), wodurch sie um einen erheblichen Betrag entlastet werden Stress, was die Zuverlässigkeit verbessern sollte.

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