Einschaltstrom kontrollieren

Eine grundlegende Frage, wie reduziert der P-Mosfet den Einschaltstrom.

schematisch

Simulieren Sie diese Schaltung – Schema erstellt mit CircuitLab Old image link

Kann die Drain- und Source-Ausrichtung des P-Mosfets zusammen mit der Diode vertauscht werden und würde dies zu Änderungen des Schutzes führen?

Bitte helfen Sie.

http://archive.eetasia.com/www.eetasia.com/ARTICLES/2001JUL/2001JUL03_AMD_POW_TAC.PDF%3FSOURCES%3DDOWNLOAD

eek..meine augen...
@Trevor: Das Bild im PDF ist wirklich so schlecht!

Antworten (3)

Der Stoß wird reduziert, indem eine Konstantstromquelle verwendet wird, um die Gate-Kapazität des P-FET aufzuladen. Sie können die im linearen Bereich benötigte Zeit ändern, indem Sie das CC-Laufwerk ändern. Wenn Sie den P-FET mit einem schnellen Antrieb ansteuern (hoher Strom, daher schnelle Spannungsänderung), würden Sie einen Stoßstrom erhalten.

Nein, Sie können den P-Fet nicht umdrehen (Source und Drain tauschen), da Sie einfach eine (Body-) Diode hätten, die die Source-Spannung leiten und abfallen würde.

Danke für die Antwort, können wir das Gate anstelle der CC-Schaltung direkt mit der Masse verbinden? Würde das helfen, den Einschaltstrom zu reduzieren?
Nein, das würde den Überspannungsschutz zunichte machen. Lesen Sie den Hinweis, auf den Sie verweisen. Dies ist die Steuerung der Anstiegsgeschwindigkeit eines FET-Einschaltens.

Wie Trevor sagt, das ist kein schönes Bild!

Schnelle Antwort auf Ihre Frage: Der FET schaltet sich langsam ein und fungiert im Grunde als Widerstand, dessen Wert abnimmt. Hoher Widerstand am Anfang, der die hohen Ströme reduziert, wenn Sie einen Kurzschluss gegen Masse haben, da der Kondensator leer ist. Der FET schaltet ein und verringert den Widerstand, wenn die Spannung der Kappe ansteigt, um sich an die Quellenspannung anzupassen.

Es sollte offensichtlich sein, dass die Body-Diode den Einschaltstrom nicht mehr blockiert, wenn Sie Drain und Source vertauschen.

Einschaltstrom kontrollieren
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