Verbraucht ein EEPROM nur während der Übergangsflanken oder während des gesamten Lese-/Schreibzyklus Strom?

Ich versuche das Ladeverhalten eines EEPROMs zu simulieren . Es wird von einem 5V LDO versorgt. Wann würde das EEPROM tatsächlich Strom verbrauchen?

  1. Verbraucht es während der gesamten Lese-/Schreibzykluszeit Strom? Nach meinem Grundverständnis verbrauchen digitale ICs nur während Zustandsübergängen Strom. Wenn ja, sollten wir nicht die Summe aller Anstiegs-/Abfallzeiten für die Leistungsberechnung innerhalb eines Schreibzyklus berücksichtigen.

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  1. Warum bezieht sich diese Quelle sowohl auf die Anstiegszeitenergie als auch auf die Schreibenergie? Geben Sie hier die Bildbeschreibung einHaftungsausschluss: Ich bin kein digitaler Typ und weiß sehr wenig über die Timing-Parameter.
Alles verbraucht Strom, wenn es statisch betrieben wird. Es mag nicht viel sein, aber es ist immer präsent.
Denken Sie darüber nach ... warum dauert ein Schreibzyklus so lange?
@BruceAbbott: Es dauert mehrere Taktzyklen, um einen Schreibvorgang abzuschließen (der aus vielen Untervorgängen bestehen kann). Das ist alles, was ich daraus schließen kann

Antworten (3)

Hier ist ein Beispiel für eine Schreibstromwellenform aus dem Datenblatt des NXH5104 4 Mbit Serial SPI EEPROM .

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In der Tabelle „Statische Eigenschaften“ ist der durchschnittliche Schreibversorgungsstrom bei 4 aktiven Sektoren und 5 MHz SPI mit 1,1 mA bei 1,2 V angegeben. Im Trace sehen wir eine kontinuierliche Stromaufnahme von ~1,1 mA. Es gibt jedoch auch große 4 große Spitzen, die nicht direkt mit der SPI-Busaktivität zusammenhängen. Die während des Schreibzyklus verbrauchte Gesamtladung ist eine Kombination aus dem kontinuierlichen Strom plus diesen Bursts (die vermutlich durch die tatsächlichen Lösch-/Schreiboperationen verursacht werden).

Entschuldigung, ich habe keine Ahnung, wie ich das obige Diagramm interpretieren soll. 1. Was zeigt D4-D1 an? 2. Warum gibt es periodische Einbrüche (kurzzeitige Störungen) in der D4-, D3-Wellenform?
Die Spuren sind nicht gut beschriftet. D4-D2 sind die (digitalen) SPI-Takt- und Datenleitungen. In diesem Zeitrahmen ist jede SPI-Transaktion so kurz, dass es wie ein Fehler aussieht. Im erweiterten Zustand würden Sie die einzelnen Taktimpulse und Datenbits sehen. Es scheint, dass das Eeprom in Abständen von einigen hundert us abgefragt wird, um festzustellen, wann der Schreibvorgang abgeschlossen ist.

  1. Ja, das EEPROM-Datenblatt besagt, dass es maximal 1 mA verbraucht, während es ständig liest, und maximal 3 mA während eines Schreibzyklus, der bis zu 5 ms dauern kann. Es spielt keine Rolle, ob Sie ein einzelnes Byte oder eine ganze Seite schreiben, da intern das EEPROM muss die internen Spannungsgeneratoren für den vollen Lese-Lösch-Programmierzyklus versorgen.

  2. Digitale Signalübergänge, die mit dem Chip kommunizieren, verbrauchen Energie, und der interne EEPROM-Lösch-Schreib-Zyklus zum Speichern der Daten verbraucht Energie. Zwei völlig verschiedene Dinge.

digitale ICs verbrauchen nur während Zustandsübergängen Strom

Das ist generell falsch. CMOS-Logikgatter verbrauchen den größten Teil ihrer Energie während Übergängen an ihren Eingängen. Ein EEPROM-IC:

  • kann andere Komponenten als logische Gatter (z. B. Ladungspumpen) haben, die Strom unterschiedlich verbrauchen
  • weist im Ruhezustand Leckströme auf, die erheblich sein können oder nicht
  • kann Übergänge intern erzeugen (z. B. interne Taktsignale haben), ohne Änderungen an den IC-Pins
Verbraucht ein EEPROM nur während der Übergangsflanken oder während des gesamten Lese-/Schreibzyklus Strom?
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