Warum ist die Basis-Emitter-EIN-Spannung im BJT-Datenblatt so hoch wie 2 V?

Unten ist ein Ausschnitt aus einem BJT-Datenblatt . Warum wird die Basis-Emitter-EIN-Spannung als 2 V angegeben? Die Basis-Emitter-Spannung sollte 0,7 V betragen, wenn der BJT leitet.

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Ich weiß es nicht genau, aber ich vermute, dass einige dieser Datenblattwerte auf Produktionstests basieren, mit anderen Worten, jeder Transistor, der unter diesen Testbedingungen eine Vbe von mehr als 2 V hat, wird abgelehnt. in Wirklichkeit können 99,9 % der Teile eine Vbe von etwa 700-800 mV haben

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Die 0,7 V sind ein typischer grober Schätzwert für einen typischen generischen Kleinsignaltransistor mit wenigen Milliampere Basisstrom. Es kann allgemein als einfaches mentales Modell verwendet werden.

Was Sie haben, ist kein allgemeiner Fall. Sie haben einen Leistungstransistor, der 6 A schalten kann, und der 2-V-Wert ist auf einen sehr großen Basisstrom von 1 A ausgelegt, der erforderlich ist, um den Transistor ausreichend zu sättigen, um einen Kollektorstrom von 6 A zu treiben.

Ihre BJT-Datenblatt-Plots zeigen immer nominal und die Tabellen zeigen Max.

Ich habe hinzugefügt, was in Rot zu erwarten ist, um für MAX-Geräte im schlimmsten Fall aufgrund von Prozessabweichungen bei 25 ° C zu interpolieren

Dies sind außergewöhnlich hohe Basisströme, da die lineare Stromverstärkung sehr niedrig ist (15 MIN) und die Vce-Sättigungsstromverstärkung bei hFE=10 oder Ic/Ib=10 „definiert“ ist.

Dies sind die Standardmethoden zum Definieren von Transistoren.

Sie garantieren beispielsweise nicht den VbeMAX bei Ic = 1,0 A.

  • Sie müssen Rce aus dem ungünstigsten Fall Vce(sat)/Ic=Rce(sat) durch Berechnungen oder lineare Regression in Diagrammen extrapolieren.

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Diese Zahl erfordert einige 100 mA Basisstrom. Beträgt der Basiswiderstand wenige Ohm, landet man bei deutlich über 0,7 V.

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