Berechnung des Rs-Werts für eine 32-kHz-Pierce-Gate-Kristalloszillatorschaltung

Bearbeiten: Mein Hauptziel ist es, das mathematische Modell zur Berechnung des Lastwiderstands zu lernen R S um die Antriebsstufe eines bestimmten Kristalls zu befriedigen, nicht nur die eine Instanz darunter zu reparieren.


Ich baue eine Pierce-Gate-Oszillatorschaltung mit einem 74HC4060 und einem 32-kHz-12,5-pF-Uhrkristall.

Ich bin ein Anfänger, aber AFAICT ist die Oszillatorschaltung des SN74HC4060 nur ein gepufferter CMOS-Wechselrichter:

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Schaltplan meiner Schaltung:

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Unter dem Oszillatorabschnitt auf der Platine (der IC auf der linken Seite ist der 4060). Die Rückseite der Platine unter dem Oszillatorabschnitt ist frei; keine Signalspuren und keine Kupfergüsse:

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Während ich den Kristall zum Schwingen bringe, ist er manchmal instabil und variiert in der Frequenz. Ich bin ein Anfänger und habe Mühe, die geeigneten Werte für den Lastwiderstand zu ermitteln R 1 .

Soweit ich weiß, sollte die Lastkapazität des Kristalls von 12,5 pF gleich sein:

C l Ö A D = ( C 1 + C ich N ) ( C 2 + C Ö u T ) ( C 1 + C ich N + C 2 + C Ö u T ) + C S T R A j

Wo C ich N Und C Ö u T sind die Schaltungskapazitäten des CMOS-Inverters und C S T R A j stellt jede parasitäre PCB-Kapazität dar. Bei den Werten tappe ich etwas im Dunkeln C ich N Und C Ö u T und ich kann sie anscheinend nicht im Datenblatt des ICs finden .

Nach Online-Faustregeln habe ich 3 pF für jeden und 1 pF für verwendet C S T R A j . Substitution ergibt dann:

C 1 = 20 pF
C 2 = 20 pF

Womit ich zu kämpfen habe ist R 1 obwohl.

Der Wert von 470k im obigen Schema wurde von https://www.eevblog.com/forum/beginners/using-a-32-768khz-crystal-with-4060-frequency-divider/ übernommen , aber ich verstehe es nicht wirklich wie es abgeleitet wurde.

Ich verstehe, dass es akzeptabel ist R 1 passend zum kapazitiven Widerstand von C 1 (§6.1.2 von http://www.ti.com/lit/an/szza043/szza043.pdf ), was für 20 pF bei 32768 Hz meiner Meinung nach 241 k ist.

Das verstehe ich aber auch R 1 dient dazu, den Strom durch den Kristall zu senken. Das Datenblatt des Kristalls listet die Antriebsstufe als auf 1 μ W und 241k scheinen zu niedrig zu sein, um das zu erreichen.

Meine Schaltung läuft mit 5V. Mit R 1 Und X C 1 beide gleich 242 k und der effektive Serienwiderstand des Kristalls bei 35 k. Wie berechne ich den Strom durch und die Spannung über dem Kristall?

Hier gehe ich wahrscheinlich aus den Fugen (wenn ich es nicht schon bin), aber gehe ich das als das folgende äquivalente Widerstandsnetzwerk an?

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Wo das Ohmsche Gesetz den parallelen Widerstand über den Kristall legen würde und X C 1 bei 31k, die Spannung bei v 1 bei 0,57 V der Strom durch R 1 um 18 μ A , ICH X T A L bei ~ 16 μ A und damit die Leistungsaufnahme des Kristalls bei 0,57 v 16 μ A = 9 μ W ?

Wie nähere ich mich der Berechnung geeigneter Werte für R 1 die die Spezifikationen des Kristalls erfüllen?

Antworten (1)

Ich habe nicht gesehen, wo Sie gelesen haben, dass es ein so großer Wert sein muss, aber das reicht kaum aus, um eine stetige Oszillation anzutreiben. Ihre Berechnungen sind nicht korrekt.

Der richtige Wert ist nur dem XTAL OEM-Datenblatt zu entnehmen. Wenn dies nicht der Fall ist, beträgt es etwa 10 kOhm mal die Dicke des Xtal in mm. ZB 20k ~ 40k Ohm.

Der Grund, warum niemand jemandem sagt, warum dieser niedrige uW-Leistungspegel eine Grenze hat, ist. Es ist nicht die entstehende Wärme, sondern die Durchbruchspannung im XTAL, die die interne „Piezo-Bewegungskapazität“ verstärkt, um > 10 kV x die angelegte Eingangsspannung zu erreichen.

Dies ist das ungefähre Q des Resonators. (10 km)

Wenn es zusammenbricht, wird die Energie sofort absorbiert, um die Schnittstelle der Xtal-Gitterstruktur zu beschädigen und die Leistung zu beeinträchtigen.

  • Wenn Sie ohne Rs gearbeitet haben und es immer noch funktioniert, können Sie sich glücklich schätzen. ... wie unter einem Baum nicht vom Blitz getroffen zu werden.

  • Wenn es mit den richtigen Rs gut funktioniert, betrachten Sie diesen Fall als abgeschlossen.

  • Wenn es immer noch schlecht funktioniert, bedenken Sie, dass das richtige Layout kurze <<1 cm lange Verbindungen verwenden muss, dann jede Handhabungsbelastung , die es möglicherweise erfahren hat, einschließlich;

    • ESD, verlängerte Lötzeit > 3 s, 1 m Fallhöhe auf einem harten Boden und Betrieb ohne Rs.

EDIT 20. Juli:
Es gibt auch eine Low Pass Filter (LPF)-Funktion für harmonische Inhalte, die zur Verlustleistung, aber nicht zur Abstimmung der Resonanzfrequenz beitragen. Dieser Bruchpunkt tritt bei Rs*C1 = Tau = 1/(2pi * f) auf.

Der -3dB Breakpoint tritt auf, wenn Xc(fo)=Rs. In diesem Beispiel C1=20pf fo= 32kHz also Xc=(1/2pi f C)= 249kΩ

Die ursprünglich verwendete Formel war für die Nennleistung, bei der größere Resonatoren eine höhere Güte und damit höhere Mindestwerte von etwa 10 kΩ / mm Dicke haben. Es gibt einen erheblichen Spielraum, bevor eine Signaldämpfung bei der Grundwelle bei 250 kΩ auftritt. Wenn 2,5 MΩ verwendet wurden, muss die Inverterverstärkung den Verlust von 20 dB kompensieren, um eine Rechteckwelle mit überschüssiger Schleifenverstärkung zu erzielen. 32-kHz-Xtals haben eine parabolische Spitze, die am flachsten ist und maximale f ergibt. bei Raumtemperatur sinkt dann auf beiden Seiten.

Ich habe nicht gesehen, wo Sie gelesen haben, dass es ein so großer Wert sein muss. Sowohl crystek.com/documents/appnotes/Pierce-GateIntroduction.pdf als auch §6.1.2 von ti.com/lit/an/szza043/szza043.pdf schlagen vor passend zum kapazitiven Widerstand von C1.
So groß..?. Du meinst kleine >10k. Die Frage zeigt 470k, Ihr 1. Link zeigt 10-15 Meg in Tabelle 1, erklärt dann aber, dass es in Ordnung ist, gepufferte Wechselrichter zu verwenden, was bei Verwendung von 15M mit Niederspannung obligatorisch wäre. Die Verstärkung muss die Dämpfung bei fo übersteigen.
Die 10 Megabyte sind der Rückkopplungswiderstand Rf, nicht der Reihen-/Strombegrenzungswiderstand Rs (R1 in meinem Schaltplan). Ich habe jedoch Schwierigkeiten zu verstehen, wie ich den angemessenen Wert für Rs bestimmen kann. Was den 470.000-Wert in diesem anderen Beitrag betrifft, weiß ich nicht, wie sie ihn abgeleitet haben oder ob er überhaupt korrekt ist.
Es ist nicht korrekt, wenn Sie einen ungepufferten Wechselrichter haben. Lies nochmal meine Antwort. Und auch Ihr 1. Link für dieselbe Frequenz. nur und wichtiger Ihr Datenblatt
Ja! Sicher. Sofern ich das Datenblatt nicht falsch gelesen habe, ist der Wechselrichter des 74HC4060 tatsächlich gepuffert.
Ich habe erwartet, dass Sie Messungen zurückmelden
Tut mir leid, das habe ich vielleicht übersehen. Welche Maße? Ich habe jedoch ein detaillierteres Datenblatt für diesen Kristall von ECS gefunden, das eine empfohlene Konfiguration mit Rs = 330 k, Rf = 10 M und C1 = C2 = 22 pF bei 3,3 V enthält. ecsxtal.com/store/pdf/ECS-3x8X%202x6X%201X5X.pdf
Sie sagten, es sei instabil, zeigen aber keine genauen Messungen
Mein Hauptziel ist es, das mathematische Modell zu finden, um Rs für einen bestimmten Kristall zu berechnen, mehr als dieses spezielle Board zum Laufen zu bringen. Ähnlich wie C1 und C2 abgeleitet werden. Ich werde die Frage bearbeiten, um dies stärker hervorzuheben.