Eine Frage zu einem NPN-Transistor mit Gleichstromvorspannung

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β = Stromverstärkung

Ich habe die Schaltung des obigen Bildes mit LTspice gemacht.

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(Ein Diagramm von Vce)

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(Ein Diagramm von Vbe)

Und ich konnte 4,2966 V für den Wert von Vce und 0,6543 V für den Wert von Vbe erhalten.

Als ich es jedoch von Hand löste, war der Wert von Vce sehr unterschiedlich.

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Anschauen, bitte

Ich habe Koreanisch wie folgt ins Englische übersetzt:

Koreanisch (Englisch)

zB 등가회로(Ersatzschaltbild)

Wie Sie sehen können, beträgt der von Hand gelöste Wert von Vce 2,9181 V.

Ich verstehe wirklich nicht. Wie kann der Fehler des Vce-Werts so groß auftreten?

Habe ich das LTspice falsch entworfen? Oder habe ich es falsch gelöst?

Bitte hilf mir.....

Antworten (1)

Die KVL-Gleichung 10 + 7 [ k Ω ] 1 [ mA ] + v C E vernachlässigt den Spannungsabfall über der Stromquelle I1, und diese Schleife kann nicht einfach mit KVL allein gelöst werden, da wir keine Gleichung haben, die uns die Spannung über einer Stromquelle angibt.

Stattdessen wissen Sie das β = 100 so ist der Basisstrom ICH B = 10 [ μ A ] . Sie können stattdessen KVL um diese Schleife herum lösen:

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Wir können bekommen 10 [ μ A ] 60 [ k Ω ] v B E + v C E + 7 [ k Ω ] 1.01 [ mA ] 10 = 0 . Wenn wir lösen, erhalten wir etwa 4,3 V für Vce, was mit LT Spice übereinstimmt.

Genauer gesagt entspricht das Obige der Anwendung derselben Schritt-für-Schritt-Logik:

  • Die Basis liegt wegen eines Spannungsabfalls von -600 mV an R B ICH B .
  • Der Emitter liegt bei -1,3 V, weil es eins ist v B E unter die Basis fallen lassen.
  • Der Kollektorstrom ist 1 [ mA ] ( 1 + β ) also der Spannungsabfall R C beträgt 7,07 V.
  • Damit beträgt die Kollektorspannung 2,93 V.
  • Wenn der Emitter auf -1,3 V und der Kollektor auf 2,93 V liegt, v C E beträgt 4,23 V.
  • Der Fehler zwischen diesem Ergebnis und LT Spice entsteht wahrscheinlich, weil wir einen festen Wert für angenommen haben v B E .

Bearbeiten, um den Kommentar zu adressieren:

Um ein Vbe zu erhalten, müssen Sie einen Transistorparameter namens Sättigungsstrom ( ICH S ) und dann die Gleichung lösen ICH E = ICH S ( e v B E v T 1 ) . v T ist proportional zur Temperatur und beträgt bei Raumtemperatur etwa 26 mV.

Leider ist dieses Verhalten sehr empfindlich gegenüber Temperatur- und Herstellungsschwankungen, sodass es schwierig ist, immer genaue Werte für Vbe zu erhalten. 0,6 oder 0,7 ist eine gute Schätzung für den Anfang. Sie werden feststellen, dass viele Schaltungen Techniken wie Degeneration und Rückkopplung verwenden, um sie weniger empfindlich gegenüber diesen Effekten zu machen, sodass der genaue Sättigungsstrom oder Kollektorstrom nicht so wichtig ist, um genau richtig zu sein. Außerdem gibt es viele Schaltungen mit zwei Transistoren, bei denen uns der tatsächliche Wert von Vbe egal ist, nur dass er für beide gleich ist. In diesem Fall gibt es Herstellungstechniken, die helfen, diese Anpassung sicherzustellen.

Ich versuche seit fast drei Stunden, dieses Problem zu lösen. Aber ich kann nicht, weil ich dachte, KVL könnte auf diese Schaltung angewendet werden. Jetzt ist mir dank dir klar geworden, was falsch ist und was ich falsch gemacht habe. Vielen Dank mein Held. Ich weiß nicht, was ich ohne dich tun würde.
@ user299980 Kein Problem, ich helfe sehr gerne und bin froh, dass diese Antwort lehrreich war.
Es tut mir leid, aber könnte ich eine zusätzliche Erklärung bekommen, wie man eine VBE bekommt? Ich habe alles andere gut verstanden, aber ich kann nicht verstehen, wie ich VBE bekomme.
@ user299980 Ich habe die Antwort direkt zu meiner Antwort hinzugefügt, da sie für einen Kommentar zu lang war.
Vielen Dank, dass Sie meine Fragen immer leidenschaftlich beantworten. Es ist noch nicht lange her, seit ich Elektrotechnik gelernt habe, also ist es sehr schwer. Ich bin jedoch sehr froh, dank Stackexchange-Freunden wie Ihnen problemlos lernen zu können. Ich möchte noch einmal betonen, wie dankbar ich bin.