Typennachweis für Stromspiegel und Early-Effekt (Mosfet-Transistoren)

Question

Typennachweis für Stromspiegel und Early-Effekt (Mosfet-Transistoren)

gr1

Kann mir jemand erklären, wie ich diese Gleichung unten (4.19) beweisen kann? Das weiß ich $V_{GS1}=V_{GS2}$ und unter der Annahme, dass M1, M2 dann in Sättigung ist $ID=0.5kn(vov)^2(1+\frac{V_{DS}}{V_{A}})$

Analogsystemerf

Der M2 hat bei DC-Frequenz keine Möglichkeit, die Spannung an seinem Gate zu beeinflussen. Deine Ableitung gefällt mir.

gr1

Danke analogsystemsrf. Können Sie mir einen Rat geben, wie ich diese Gleichung (4.19) beweisen kann?

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Typennachweis für Stromspiegel und Early-Effekt (Mosfet-Transistoren)

Der M2 hat bei DC-Frequenz keine Möglichkeit, die Spannung an seinem Gate zu beeinflussen. Deine Ableitung gefällt mir.
Danke analogsystemsrf. Können Sie mir einen Rat geben, wie ich diese Gleichung (4.19) beweisen kann?

Sundar · Answer 1

Gemäß der Antwort in der Frage von Mario: MOS Current Mirror

und die Beziehung:

Wir können zu Gleichung 4.19 gelangen.

Hoffe das hilft.

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gr1

Analogsystemerf

gr1

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Sundar

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