Welcher Widerstand für NPN-Transistorbasis?

Wie wählt man einen Widerstand für eine NPN-Transistorbasis aus?

Ich möchte P2N2222A als Schalter in einem Design wie unten gezeigt verwenden. Wenn ich Spannung in der Basis habe (1,8 V), möchte ich, dass eine Verbindung zwischen NODE1 und Masse hergestellt wird.

schematisch

Simulieren Sie diese Schaltung – Mit CircuitLab erstellter Schaltplan

Es hängt alles davon ab, wie viel Kollektorstrom der Transistor im eingeschalteten Zustand unterstützen muss.

Antworten (2)

Wenn Sie bis zu 150 mA Strom zwischen Knoten 1 und Masse leiten und nur 1,0 V abfallen lassen möchten (es ist kein perfekter Schalter), müssen Sie davon ausgehen, dass die Stromverstärkung normalerweise 50 beträgt. Wenn Sie eine niedrigere Sättigungsspannung wünschen, dann die Datenblätter besagen, dass die Basis mit 15 mA gespeist werden soll, dh die Stromverstärkung ist auf nur 10 gesunken, aber die Sättigung beträgt nur 0,3 V.

Angenommen, Sie sind mit 150 mA zufrieden, während Sie den Transistor auf etwa 1 V sättigen, müssen Sie drücken 150 m EIN 50 = 3 m EIN in die Basis.

Die Basisspannung benötigt etwa 0,7 V, sodass der Rest (1,8 V - 0,7 V) über den Widerstand R1 gelegt werden muss. Das Ohmsche Gesetz sagt uns, dass R = 1.1 v 3 m EIN = 366.7 Ω .

Wählen Sie also vielleicht einen 360-Ohm-Widerstand.

Wenn dies für Ihre Anforderungen nicht gut genug ist, suchen Sie nach einem N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Wert v G S ( t h r e s h Ö l d ) - etwas wie 1 V oder weniger.

Ist es in Ordnung, Knoten 1 und Masse kurzzuschließen, um Strom zu messen? Die Messung ergab 0,15 mA. Die vorhandene Schaltung (ohne den Transistor) ist Teil eines RC-Car-Senders ( electronics.stackexchange.com/questions/90980/… ).
Das klingt gut.
Meinst du, ich brauche in diesem Fall weniger Kollektorstrom (z. B. 1 mA) oder 150 mA sind in Ordnung? (Knoten 1 ist Pin von ic)
Wenn der Kollektor nur weniger als 1 mA geerdet ist, beträgt der Basisstrom für ein anständiges Einschalten nicht mehr als 20 uA, aber gehen Sie auf Nummer sicher und gehen Sie für 100 uA durch R1, was bedeutet, dass R1 ungefähr 10 kOhm beträgt. Es schadet natürlich nie, mehr Strom in die Basis zu stecken, bis zu einer Grenze.
Ich habe die beschriebene Schaltung implementiert (NPN P2N2222A, 10k Ohm Basiswiderstand). Ich glaube, ich habe den IC verbrannt (aus Datenblatt: Betriebsstrom, Entladen - max: 0,4 mA). Wie kann ich feststellen, ob ich es beschädigt habe?
Der IC nimmt nur den Strom auf, den er benötigt, wenn er an die Batterie angeschlossen ist. Das Anschließen über einen Transistor zwingt nicht auf magische Weise mehr Strom in den IC - dies ist eine physikalische Unmöglichkeit. Das Betreiben der Basis, um mit 100-mA-Lasten fertig zu werden, drückt nicht 100 mA durch die Last. Für den an die Versorgung angeschlossenen IC gilt das Ohmsche Gesetz. Wenn es bei (sagen wir) einer 6-V-Versorgung 0,4 mA benötigt, nimmt es diesen Strom auf, wenn es über einen Transistor angeschlossen ist. Ich weiß nicht, warum der Chip nicht funktioniert und ich weiß nicht, wie ich ihn testen soll, aber vielleicht eine neue Frage aufwerfen?

Aktuell

Es gibt eine Faustregel, dass Sie den Basiswiderstand so machen, dass der Basisstrom ein gutes Vielfaches (5, 10?) des minimalen Basisstroms beträgt, der erforderlich ist, um den BJT in die Sättigung zu bringen - Sie können dies den Datenblättern entnehmen.

Stromspannung

Du musst wissen v B E ( s a t ) - steht aber auch in den Datenblättern. Es ist wahrscheinlich sicher, 0,7 V für die meisten Kleinsignal-NPN-BJTs anzunehmen.

Geben Sie hier die Bildbeschreibung ein

Widerstand

Sobald Sie die Spannung über dem Widerstand und den Strom durch ihn kennen, wird Ihnen das Ohmsche Gesetz die Antwort geben.

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