3,3 V High-Side-Schalter

Sie können R1 und T1 als Open-Collector-Ausgang (eigentlich Open-Drain) des Mikrocontrollers betrachten, dann benötigen Sie nur den Pull-up-Widerstand R2 und den P-Kanal-MOSFET. Da Sie mit niedrigen Spannungen arbeiten, benötigen Sie einen Gate-FET mit Logikpegel .

Das Problem ist, dass sich der gezeigte MOSFET mit der 3,3-V-Versorgungsschiene nicht wie erwartet dreht. Es liegt an ihm$V_{GS(threshold)}$zu hoch sein: -

Das obere Diagramm gilt für das in der Frage gezeigte Gerät. Beachten Sie, dass es Ihnen keine "Einschaltwiderstands" -Kurve für Gate-Spannungen von weniger als 4,5 V gibt, und selbst wenn Sie mit einer 5-V-Versorgung arbeiten würden, könnten Sie dies kaum tun 0,33 A liefern, ohne 0,5 V abzufallen.

Das untere Gerät (zufällig beim Googeln von FETs mit niedriger Vgs ausgewählt) ist eine andere Geschichte. Zunächst einmal gibt es einen "Ein"-Widerstand bis zu einer Gate-Spannung von 1,5 V an, und es ist leicht zu erkennen, dass der FET bei dieser Gate-Spannung 2 A leiten und 0,5 V abfallen könnte. Bei einer 3,3-V-Versorgung würde die wahrscheinliche Gate-Treiberspannung 3 V betragen, und bei einem Abfall von 0,5 V könnten Sie eindeutig über 6 A leiten.

Das 2. Gerät ist viel besser und Sie sollten in der Lage sein, viele ähnliche Geräte zu finden.

Ansonsten (außer dem 4$\Omega$Widerstand) ist die Schaltung gut. Sie benötigen einen Pull-up vom Open-Collector-Ausgang, schließen Sie also das O / C direkt an die Basis von T1 an und verwenden Sie die 10k von diesem Punkt aus als Pull-up. Sie sollten in der Lage sein, den FET direkt von dort aus anzusteuern, wo der Kollektor von T1 bereitstellt, dass die Versorgung der MCU mit der FET-Versorgung übereinstimmt.