Eigenverstärkung vs. Spannungsverstärkung

Was ist der Unterschied zwischen der Eigenverstärkung und der "normalen" Spannungsverstärkung einer Schaltung, dh Vout / Vin?

Antworten (5)

So wie ich es verstehe, bezieht sich beispielsweise in einem Transistorverstärker die Eigenverstärkung auf das Transistor-Beta und die Spannungsverstärkung auf die tatsächliche Vout / Vin.

Normalerweise würden Sie sich beispielsweise bei einem gemeinsamen Emitteraufbau nicht auf die unvorhersehbare Stromverstärkung des Transistors verlassen und eine Rückkopplung in Form eines Emitterwiderstands hinzufügen. Dann wird die Spannungsverstärkung ungefähr das Verhältnis der Emitter- und Kollektorwiderstände (es sei denn, Sie umgehen den Emitterwiderstand für eine erhöhte Kleinsignalverstärkung).
Die Eigenverstärkung des Transistors könnte also 200 betragen, aber (bei einem Verhältnis von z. B. 10k / 1k) die tatsächliche Spannungsverstärkung der Schaltung ~10.

In ähnlicher Weise könnte man bei einer Open-Loop-Verstärkung des Operationsverstärkers sagen, dass dies die intrinsische Verstärkung des Operationsverstärkers ist.

Hier sind ein paar verwandte Links:
MOSFET-Intrinsic-Gain
-Opamp-Diskussion (siehe Seite 3, zweiter Absatz von unten)

Sie sagen also, dass die intrinsische Verstärkung die Verstärkung intern im Gerät ist, dh ein Operationsverstärker oder eine grundlegende Verstärkungszelle, aber die tatsächliche Verstärkung ist die Verstärkung, wenn Sie Lasten usw. berücksichtigen, die an dieses Gerät angeschlossen sind?
@rrazd - nicht die Last als solche, die intrinsische Verstärkung ist die "interne" Verstärkung ja, aber die tatsächliche Verstärkung hängt vom Setup ab (idealerweise würde die Last die Verstärkung nicht beeinflussen, obwohl Sie z. B. eine Verstärkung von x in eine Impedanz eingeben könnten von x), sodass beispielsweise ein Operationsverstärker mit einer intrinsischen (oder offenen Schleifen-) Verstärkung von 100.000 mit negativer Rückkopplung für eine (geschlossene Schleifen-) Verstärkung von 10 eingerichtet werden könnte. Sie sehen in den Datenblättern von Verstärkern zwar unbelastete vs. belastete Verstärkungsdiagramme, aber ich würde sagen, dass die unbelastete Verstärkung normalerweise zur Beschreibung der Schaltung selbst verwendet wird. (es sei denn, die Ladung gehört tatsächlich dazu)
@rrazd - ein paar verwandte Links hinzugefügt, die hilfreich sein könnten.

Laut dem Buch von Prof. Behzad Razavi (Grundlagen der Mikroelektronik):

A v = − G M ⋅ R 0

Die „Eigenverstärkung“ des Transistors soll betonen, dass kein externes Gerät die Schaltung belastet, G M ⋅ R 0 stellt die maximale Spannungsverstärkung dar, die von einem einzelnen Transistor bereitgestellt wird, und spielt eine grundlegende Rolle in Verstärkern mit hoher Verstärkung.

So wie ich es verstehe, ist die intrinsische Verstärkung die Verstärkung des Verstärkers selbst (oder manchmal als Open-Loop-Verstärkung bezeichnet, was bedeutet, dass es keine Rückkopplungsschleife gibt). Und die Gesamtverstärkung ist die Verstärkung der gesamten Schaltung mit der Schleife (als geschlossene Schleifenverstärkung bezeichnet).

Die Eigenverstärkung ist nur die maximal mögliche Spannungsverstärkung eines typischen Transistors, unabhängig vom Vorspannungspunkt. es bedeutet G M R Ö , das ist die maximale Verstärkung eines CE-Verstärkers (Common Emitter).
durch Eliminieren ICH C es ist gleich v A / v T und es hat keine Abhängigkeit vom Vorspannungspunkt des Transistors.

(Erinnere dich daran G M = ICH C / v T Und R Ö = | v A | / ICH D , daher G M R Ö = ICH C | v A | v T ICH C .)

Können Sie erklären, warum der intrinsische Gewinn nicht vom Bias-Punkt abhängt? Die Eigenverstärkung ist gleich gm*ro und sowohl gm als auch ro hängen von der Vorspannungsbedingung ab.

Ich wollte die Ableitung für den Eigengewinn hinzufügen, das könnte helfen, es zu verstehen.

A = D v Ö u T D v ich N = D ICH D v G D v D D ICH = G M 1 G D = G M R 0

Eigenverstärkung vs. Spannungsverstärkung
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