Raumfahrt mit flüchtigem Gedächtnis

Ah junge Leute in diesen Tagen.

Dass wir heute hochflüchtige dynamische Direktzugriffsspeicher verwenden, ist ein Zufall; flüchtiger RAM ist relativ neu und wird hoffentlich nicht mehr lange halten.

Einige der ersten im Handel erhältlichen Computer verwendeten Trommelspeicher als RAM. Nicht flüchtig.

Relativ lange, etwa 20 Jahre (seit Ende der 1950er bis mindestens Mitte der 1970er Jahre, an manchen Stellen viel länger) verwendeten Computer Magnetkernspeicher als RAM. Nicht flüchtig. (Freunde von UNIX-ähnlichen Betriebssystemen erinnern sich vielleicht daran, dass die Datei mit dem Speicherauszug eines fehlerhaften Programms heißt core, weil in jenen Tagen, als UNIX geboren wurde, RAM ein Magnetkernspeicher war und die Leute früher "Kern" statt RAM sagten , um beispielsweise ein Programm in den Kern zu laden oder den Kern zu entleeren.)

Dann kamen hochintegrierte Schaltkreise und statische Halbleiter-RAMs. Statisches RAM ist nur langsam flüchtig , und es ist schneller als das hochflüchtige dynamische RAM , das heute dominiert; Leider ist es auch teurer und erfordert 6 Transistoren pro Bit anstelle von einem Transistor und einem Kondensator.

Um auf die Frage zu kommen, wird nichtflüchtiger statischer RAM ( nvSRAM ) in einigen Luft- und Raumfahrt-, Automobil-, medizinischen usw. Anwendungen verwendet, bei denen Nichtflüchtigkeit wichtig ist. Nichtflüchtiger SRAM verbessert die inhärente Eigenschaft von SRAM, nur langsam flüchtig zu sein, um sicherzustellen, dass Daten bei einem Stromausfall intakt bleiben. (Die üblichere Lösung ist die Verwendung von batteriegepuffertem SRAM, BBSRAM, das billiger als nvSRAM ist; der Energieverbrauch, wenn es nicht in Betrieb ist, ist winzig, sodass ein batteriegepuffertes SRAM lange überleben kann, aber es ist so langsamer als nvSRAM.)

Und dann gibt es Flash- Speicher. Wie um alles in der Welt eine Zivilisation sehr hochintegrierte (VLSI) Schaltungen entwickeln kann, aber irgendwie die Entwicklung von Flash verfehlt, ist unverständlich, denn Flash ist der aktuelle Schritt in einer Kette, die mit werkseitig programmierten Nur-Lese-Speichern ( ROM ) "so alt wie die Halbleitertechnologie selbst" (Wikipedia), fortgesetzt durch programmierbare Nur-Lese-Speicher (PROM), die einmal beschrieben werden konnten, durch löschbare Nur-Lese-Speicher (EPROM), die viele Male gelöscht und neu beschrieben werden konnten, aber dazu UV-Licht ausgesetzt werden mussten gelöscht werden (einige von uns erinnern sich vielleicht an die EPROM-Chips mit Quarzfenstern), durch elektrisch löschbare Nur-Lese-Speicher(EEPROM), dessen Freude über Freude programmgesteuert gelöscht werden konnte, und gipfelte in den heute verwendeten NOR- und NAND-Flashzellen.

Die Zugriffsgeschwindigkeit moderner SSDs verbessert sich schnell, und die Dichte anderer nichtflüchtiger RAM-Technologien verbessert sich ebenfalls. Einige große Computerhersteller untersuchen mehrere Möglichkeiten, nichtflüchtigen RAM groß genug, schnell genug und billig genug zu machen, um das aktuelle Paradigma zu beseitigen und zum Ideal von einstufigen Speichercomputern zurückzukehren .

TL;DR: Nichtflüchtiger Speicher ist älter als flüchtiger RAM, und es besteht die Möglichkeit, dass die Dominanz der hochflüchtigen Dynamik in nicht allzu ferner Zukunft enden wird.

Aus praktischer Sicht sehe ich nicht ein, wie sie nicht einfach Batterien für ihren flüchtigen Speicher verwenden könnten, es würde einfach zu einer zusätzlichen Anforderung, um sicherzustellen, dass Ihr Computer mit Strom versorgt wird, oder Sie würden das Programm verlieren.