Benötigen Sie Hilfe bei der Suche nach dem Drain-Strom eines JFET

Question

Benötigen Sie Hilfe bei der Suche nach dem Drain-Strom eines JFET

Mike

Ich habe diese einfache DC-JFET-Schaltung (Hausaufgaben):

Schaltkreis

Zuerst musste ich die Werte der Drain- und Source-Widerstände angesichts der obigen Daten finden, das war ziemlich einfach und ich bekam:

R_{D} = 4 k Ω

$R_D=4k\Omega$

R_{S} = 11 k Ω

$R_S=11k\Omega$

Nächste, $I_{DSS}$ wird verdoppelt $8mA$ , jetzt bin ich gefragt zu finden $I_D$ .

Verwendung:

{ICH}_{D} = {ICH}_{D S S} {[1 - \frac{v_{G S}}{v_{P}}]}^{2}

$I_D = I_{DSS}\left [ 1-\frac{V_{GS}}{V_P} \right ]^{2}$

Das habe ich herausgefunden:

{ICH}_{D 1} = 1.16 M A

$I_{D1} =1.16mA$

{ICH}_{D 2} = 1,0258 M A

$I_{D2} =1.0258mA$

Während der Berechnungen habe ich angenommen, dass der Transistor so gesättigt ist:

v_{D G} > v_{P}

$V_{DG} > V_P$ Es scheint wie beides

I_{D}

$I_D$ 's erfüllen die oben genannten Anforderungen.

Wie kann ich feststellen, welches richtig ist?

Pedro Quadro

Hast du schon überprüft, ob beide Ströme deine gesättigte Vermutung erfüllen?

Mike

Ich habe, ich bekomme

V_{D G} = 5.36 v

$V_{DG} = 5.36v$ Und

V_{D G} = 5.9 v

$V_{DG} = 5.9v$ bzw. sie sind beide größer als

V_{P} = - 2

$V_P = -2$

Plutoniumschmuggler

Nun, wenn Sie mathematisch sehen, ist Id direkt proportional zu Idss. Für Idss = 4 mA, Id = 1 mA. Also für Idss = 8 mA, Id = ?? (Ich denke, ich habe Recht, nur ein bisschen verwirrt, warum niemand sonst darauf hingewiesen hat. Fühlen Sie sich frei, mich zu korrigieren.)

Mike

Aber

V_{G S}

$V_{GS}$ ist auch eine Funktion von

I_{D}

$I_D$

nidhin

@Mike warum hast du nicht Rs = 13k verwendet?

Mike

Ich habe es herausgefunden

V_{S} = 1 v

$V_S = 1v$ also bekomme ich

R_{S} = 11 k

$R_S = 11k$

nidhin

@Mike Aber

V_{S} = 3 V

$V_S = 3V$ wird auch die aktuelle Gleichung erfüllen. Siehe meine Antwort .

Antworten (1)

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Hast du schon überprüft, ob beide Ströme deine gesättigte Vermutung erfüllen?
Ich habe, ich bekomme $V_{DG} = 5.36v$ Und $V_{DG} = 5.9v$ bzw. sie sind beide größer als $V_P = -2$
Nun, wenn Sie mathematisch sehen, ist Id direkt proportional zu Idss. Für Idss = 4 mA, Id = 1 mA. Also für Idss = 8 mA, Id = ?? (Ich denke, ich habe Recht, nur ein bisschen verwirrt, warum niemand sonst darauf hingewiesen hat. Fühlen Sie sich frei, mich zu korrigieren.)
Ich habe es herausgefunden $V_S = 1v$ also bekomme ich $R_S = 11k$
@Mike Aber $V_S = 3V$ wird auch die aktuelle Gleichung erfüllen. Siehe meine Antwort .

nidhin · Answer 1

Das Bild ( aus Wikipedia ) unten zeigt das JFET-Chara. Es ist ersichtlich, dass der Drain-Strom auf null absinkt $V_{GS}$ nähert sich abklemmen ( $V_{P}$ ). Und der Kanal ist abgeschaltet $|V_{GS}|>|V_{P}|$ und es kommt kein Stromfluss zustande.

Der Transistor ist also in Sättigung und die Shockley-Gleichung

{ICH}_{D} = {ICH}_{D S S} {[1 - \frac{v_{G S}}{v_{P}}]}^{2}

$I_D = I_{DSS}\left [ 1-\frac{V_{GS}}{V_P} \right ]^{2}$

gilt nur wenn $|V_{GS}| < |V_P|$ Und $V_{DG} > V_P$ .

Jetzt rechnen $V_{GS}$ in Ihrem Fall,

Fall 1: $I_{D1} =1.16mA$

v_{G S} = - 2.76 v

$V_{GS} = -2.76V$ Aber

V_{P} = - 2 V

$V_{P}=-2V$ So

| V_{G S} | > | V_{P} |

$|V_{GS}| > |V_P|$ und daher ist der Transistor gesperrt.

Fall2: $I_{D2} =1.0258mA$

v_{G S} = - 1,2838 v

$V_{GS} = -1.2838V$ Hier,

| V_{G S} | < | V_{P} |

$|V_{GS}| < |V_P|$ und daher ist der Transistor in Sättigung.

So $I_{D} =1.0258mA$ ist die richtige Antwort.

PS: Sie sollten dieses Problem bei der Berechnung des Wertes von konfrontiert haben $R_S$ Auch.

1 M A = 4 M A {(1 + \frac{10 - 1 M A \times R_{S}}{2})}^{2}

$1mA = 4mA\left( 1 + \dfrac{10-1mA\times R_S}{2}\right)^2$

$R_S = 11k\Omega$ Und $R_S = 13k\Omega$ wird diese Gleichung erfüllen. Der Wert $R_S = 13k\Omega$ kann aus dem oben beschriebenen Grund nicht verwendet werden.

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Mike

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Plutoniumschmuggler

Mike

nidhin

Mike

nidhin

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nidhin

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